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STZT5550


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB -
IC -
hFE -
Ptot -
fT -
TJ -
el STZT5550 es un transistor de silicio NPN
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para STZT5550
OEM:SGS Thomson... [más]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Paquete: SOT89
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑2N5550
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
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STZT5550


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB -
IC -
hFE -
Ptot -
fT -
TJ -
el STZT5550 es un transistor de silicio NPN
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Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
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SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB -
IC -
hFE -
Ptot -
fT -
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Información avanzada para STZT5550
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

2N5550


SI NPN transistor
similar a STZT5550 ver nota
GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
el 2N5550 es un transistor de silicio NPN, Uce = 140V, Ic = 600mA, d´application: amplificador
Foto: -
Fuente: datasheet
Tipo similar: 2N5550
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
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2N5550


SI NPN transistor
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GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
el 2N5550 es un transistor de silicio NPN, Uce = 140V, Ic = 600mA, d´application: amplificador
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Fuente: datasheet
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OEM:Samsung Elec... [más]
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GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
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Fuente: datasheet
Tipo similar: 2N5550
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
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